Каталожные данные
| Модель / серия | LMG2100R026 |
|---|---|
| Бренд | Texas Instruments |
| Категория | MOSFET, GaN и силовые каскады |
| Ключевой тип | MOSFET, GaN и силовые каскады; параметры из описания TI: 100V |
| Статус проверки | Модель и описание сверены с официальной страницей Texas Instruments. Совместимость с конкретным БПЛА не подтверждена. |
| Справочный источник | https://www.ti.com/product/LMG2100R026 Официальная страница модели; проверено 12 сентября 2026 года. Перед применением проверьте заказной код и техническую документацию. |
| Официальное описание производителя (EN) | 100V 2.6mΩ half-bridge gallium nitride (GaN) power stage |
| Примеры заказных кодов TI (не складские остатки) | LMG2100R026VBNR XLMG2100R026VBNR |
Область проверки и закупки
Модель и описание сверены с официальной страницей Texas Instruments. Совместимость с конкретным БПЛА не подтверждена.
Эта страница не заявляет складской остаток и не заменяет документацию производителя. До заказа проверяются маркировка, корпус, ревизия, дата производства, экспортные ограничения и совместимость.